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碳包覆氧化亚硅负极 Cl-LSO-1
在自制氧化亚硅颗粒的表面通过连续CVD 进行碳包覆，提高材料的导电性能、抑 制硅材料的膨胀和SEI的反复生成，提高材料的电化学性能。
高性价比
一次硅晶粒小于等于5 nm
产品技术指标